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GaN晶圆加工(Dlmu-FS-20240263)单一来源公示

所在地区: 辽宁-大连- 发布日期: 2024年7月5日
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中标公示正文

项目编号:(略)

项目名称:(略)

公示时间:(略)

拟成交单位 :(略)

采购预算:(略)

采购内容:(略)

技术指标如下:

(略)V emode GaN

参数

描述

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

GaN FET 特性

BVDSS

漏源耐压

VGS=0V,VDS=(略)V

(略)

V

IDSS

漏源漏电流

VGS=0V,VDS=(略)V

0.2

(略)

uA

RDSON

导通电阻

Vgate=6V, IDS=4A TC=(略)℃

(略)

(略)

VSD

源漏的反向导通电压

VPWM=6V, ISD=4A

3.5

5

V

QOSS

输出电荷

VDS=(略)V, VPWM=0V

(略)

nC

QRR

反向恢复电荷

VDS=(略)V, VPWM=0V

0

nC

Coss

输出电容

VDS=(略)V, VPWM=0V

(略)

pF

(略)V emode GaN

参数

描述

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

GaN FET 特性

BVDSS

漏源耐压

VGS=0V,VDS=(略)V

(略)

V

IDSS

漏源漏电流

VGS=0V,VDS=(略)V

0.2

(略)

uA

RDSON

导通电阻

Vgate=6V, IDS=4A TC=(略)℃

(略)

(略)

VSD

源漏的反向导通电压

VPWM=6V, ISD=4A

3.5

5

V

QOSS

输出电荷

VDS=(略)V, VPWM=0V

(略).5

nC

QRR

反向恢复电荷

VDS=(略)V, VPWM=0V

0

nC

Coss

输出电容

VDS=(略)V, VPWM=0V

(略)

pF

单一来源理由:(略)

论证小组成员:(略)

有关单位或个人如对本项目采用校内单一来源采购方式有异议,应在公示期内以书面形式向大连海事大学招投标与采购中心反映。

联系人:(略)

联系电话:(略)

国有资产与实验室管理处

招投标与采购中心

(略)年(略)月(略)日

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